Tantalum(V) chloride - 无机金属

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Tantalum(V) chloride

高纯五氯化钽 | 无水氯化钽

产品编号: SA-T823669 CAS 号: 7721-01-9 纯度: ≥99.95% metals basis，白色结晶粉末，单斜晶系，密度：3.68 g/cm³，TaCl₅具有高反应活性，遇水强烈水解，对湿气极度敏感；具有理想的挥发性，在氢气流中加热至600 ℃以上分解，在CVD/ALD薄膜沉积中可实现稳定的气相输运。【研究与应用方向】：半导体和电子薄膜沉积，超高纯CVD/ALD高κ介电薄膜，光学器件涂层，OLED关键p型掺杂剂，钽电解电容器，高比容钽粉，有机合成路易斯酸催化剂。

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T823669-25g	￥ 2480	存货	￥ 0.00
T823669-100g	￥ 7600	存货	￥ 0.00
T823669-500g	￥ 28000	询问	￥ 0.00
T823669-1000g	￥ 52000	存货	￥ 0.00

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别名:	高纯五氯化钽，西典公司优势产品。TaCl₅的卓越性能是其作为关键前驱体的多功能性与高反应活性。这一特性使其成为连接半导体、电子、催化与新材料科学的核心化学品。高纯度TaCl₅是原子层沉积（ALD）和化学气相沉积（CVD）技术制备高κ介电薄膜（如Ta₂O₅）和扩散阻挡层（如TaN）的标准前驱体。高反应性与良好挥发性：利用其较强的路易斯酸性，能与水、氨等反应物在低温下发生高效气固反应，这是实现高质量薄膜沉积的关键。薄膜质量优异：以此为前驱体沉积的TaN薄膜具有优异的铜扩散阻挡性能、高电导率及良好的热稳定性，是先进铜互连工艺中的关键材料。TaCl₅在多种有机转化中表现出强大的催化活性。其效果可与传统强路易斯酸如AlCl₃相媲美，但在特定反应，尤其是对酸敏感底物的转化中，表现出更优的选择性。OLED关键p型掺杂剂：凭借其强氧化性，TaCl₅能高效地从有机传输材料中抽取电子，生成高浓度的空穴载流子。这能显著降低OLED的空穴注入势垒，优化电荷平衡，从而有效降低器件的工作电压、提高功率效率，并提升高亮度下的稳定性。高性能电容器材料：高纯TaCl₅经水解可转化为高比表面积、高介电常数的Ta₂O₅粉体。制备高CV值（比容）钽粉的关键中间体。高质量绝缘薄膜：可在电子元器件和半导体器件表面形成厚度仅为0.1 μm、附着力极强的绝缘薄膜，具有高的介电率。
MDL No.:	MFCD00011253
分子式:	TaCl₅
分子量:	358.21
沸点:	242 °C，在144 ℃即开始挥发、169 ℃蒸气压达69.9 hPa且沸点适中，在CO₂或干燥Cl₂气流中可升华纯化。
熔点:	221 °C
贮存:	室温, 密封, 干燥, 惰性气体保存，严格防水防潮。与碱类化学品、氧化剂、氰化物分开存放，严禁混储，操作时必须穿戴全套防护装备，防止任何形式的接触。