CAS 号: 14405-43-7

MDL No.: MFCD00013492

产品编号: G810459

分子式: C₁₅H₂₁O₆Ga

分子量: 367.05

纯度: 99.99% metals basis

CAS 号: 14405-43-7

MDL No.: MFCD00013492

产品编号: G821898

分子式: C₁₅H₂₁O₆Ga

分子量: 367.05

纯度: 99%

CAS 号: 14363-16-7

MDL No.: MFCD00149059

产品编号: N814688

分子式: C₁₀H₁₄O₄Ni·₂H₂O

分子量: 292.69

纯度: 99%

CAS 号: 14689-45-3

MDL No.: MFCD00040412

产品编号: C805152

分子式: C₁₀H₁₄CdO₄

分子量: 310.63

纯度: 98%

CAS 号: 68488-07-3

MDL No.: MFCD00150168

产品编号: M813342

分子式: C₁₀H₁₄MgO₄·₂H₂O

分子量: 258.55

纯度: 98%

CAS 号: 108503-47-5

MDL No.: MFCD00149060

产品编号: Z820702

分子式: C₁₀H₁₄O₄Zn·xH₂O

分子量: 263.61

纯度: 97%

CAS 号: 17475-67-1

MDL No.: MFCD00044997

产品编号: H811050

分子式: C₂₀H₂₈HfO₈

分子量: 574.93

纯度: 97%，铪含量 %：≥29.5%。理化性质：乙酰丙酮铪为白色结晶状粉末，易溶于甲醇、乙醇、氯仿、苯、甲苯、乙醚等常规有机溶剂，遇水水解。应用以Hf(acac)4为前驱体制备的HfO2薄膜具有高熔点（约2758°C)，高的介电常数（约25)等优异的物理化学性能，在高温保护涂层、光学涂层、栅介质材料、传感器等Chemicalbook领域具有广泛的应用前景。特别是由于HfO2具有高的k值、宽的带隙（5.7ev)，与Si接触较好的热力学稳定性和良好的晶格匹配特性，是替代传统SiO2栅介质材料的理想化合物。

CAS 号: 21679-46-9

MDL No.: MFCD00013488

产品编号: C805054

分子式: C₁₅H₂₁CoO₆

分子量: 356.26

纯度: 98%

CAS 号: 14024-48-7

MDL No.: MFCD00000014

产品编号: C804760

分子式: C₁₀H₁₄O₄Co

分子量: 257.15

纯度: 97%

CAS 号: 14024-17-0

MDL No.: MFCD00144506

产品编号: I811813

分子式: C₁₀H₁₄FeO₄

分子量: 254.06

纯度: 98%，铁含量 %≥21.5%。性状：深棕色粉末。用途 ：有机合成催化剂。

CAS 号: 778-94-9

MDL No.: MFCD00014684

产品编号: N838204

分子式: C₈H₃F₃N₂O₂

分子量: 216.12

纯度: 99 %

CAS 号: 9003-01-4

MDL No.: MFCD00084394

产品编号: P822497

分子式: (C₃H₄O₂)n

分子量: 0

纯度: 粉末, M.W ~2000